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J-GLOBAL ID：200902139125849121   Reference number：97A1024946

Floating-Well Charge Pump Circuits for Sub-2.0V Single Power Supply Flash Memories.

サブ2.0V単一電源供給フラッシュメモリのための浮動ウェルチャージポンプ回路

Author (5)： CHOI K-H (Samsung Electronics Co., LTD., Kiheung, KOR) ,  PARK J-M (Samsung Electronics Co., LTD., Kiheung, KOR) ,  KIM J-K (Samsung Electronics Co., LTD., Kiheung, KOR) ,  JUNG T-S (Samsung Electronics Co., LTD., Kiheung, KOR) ,  SUH K-D (Samsung Electronics Co., LTD., Kiheung, KOR)
Material： Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Circuits  (Symposium on VLSI Circuits)
Volume： 1997  Page： 61-62  Publication year： 1997 
JST Material Number： W0767A  ISSN： 2158-5601  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *EEPROM ,...

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JST classification (1)： Memory units  (JC04060F)

Terms in the title (6)： サブ ,  電源供給 ,  フラッシュメモリ ,  浮動 ,  ウェル ,  チャージポンプ回路