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J-GLOBAL ID：200902139259531209   Reference number：98A0201170

The effects of oxidation temperature on the capacitance-voltage characteristics of oxidized AlN films on Si.

Si上の酸化したAlN膜の容量電圧特性に及ぼす酸化温度の効果

Author (9)： KOLODZEY J (Univ. Delaware, Delaware) ,  CHOWDHURY E A (Univ. Delaware, Delaware) ,  QUI G (Univ. Delaware, Delaware) ,  OLOWOLAFE J (Univ. Delaware, Delaware) ,  SWANN C P (Univ. Delaware, Delaware) ,  UNRUH K M (Univ. Delaware, Delaware) ,  SUEHLE J (National Inst. Standards and Technol., Maryland) ,  WILSON R G (Hughes Res. Lab., California) ,  ZAVADA J M (ARO, North Carolina)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 71  Issue： 26  Page： 3802-3804  Publication year： Dec. 29, 1997 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： silicon ,...

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JST classification (1)： Metal-insulator-semiconductor structures  (BM03085X)

Terms in the title (4)： Si ,  酸化 ,  AlN ,  容量電圧特性