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J-GLOBAL ID：200902139381536742   Reference number：93A0921631

Novel Hexagonal-Facet GaAs/AlGaAs Laser Grown by Selective Area Metalorganic Chemical Vapor Deposition.

制限視野有機金属化学蒸着法によって成長させた新しい六角形ファセットGaAs/AlGaAsレーザ

Author (3)： ANDO S (NTT Basic Research Lab., Tokyo) ,  KOBAYASHI N (NTT Basic Research Lab., Tokyo) ,  ANDO H (NTT Basic Research Lab., Tokyo)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters & Express Letters)
Volume： 32  Issue： 9B  Page： L1293-L1296  Publication year： Sep. 15, 1993 
JST Material Number： F0599B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： gallium arsenide ,...
Semi thesaurus term： リングキャビティモード

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JST classification (1)： Semiconductor lasers  (BD04070L)

Terms in the title (8)： 制限 ,  視野 ,  有機金属化学蒸着法 ,  成長 ,  六角形 ,  ファセット ,  GaAs ,  AlGaAsレーザ