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J-GLOBAL ID：200902139480502205   Reference number：97A1036811

A Novel Flash Memory Device with SPlit Gate Source Side Injection and ONO Charge Storage Stack(SPIN).

分離ゲートソースサイド注入及びONO電荷貯蔵積層構造の新しいフラッシュメモリデバイス

Author (8)： CHEN W-M (Motorola, TX) ,  SWIFT C (Motorola, TX) ,  ROBERTS D (Motorola, TX) ,  FORBES K (Motorola, TX) ,  HIGMAN J (Motorola, TX) ,  MAITI B (Motorola, TX) ,  PAULSON W (Motorola, TX) ,  CHANG K-T (Motorola, TX)
Material： Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology  (Symposium on VLSI Technology)
Volume： 1997  Page： 63-64  Publication year： 1997 
JST Material Number： A0035B  ISSN： 0743-1562  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： EPROM ,...

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JST classification (1)： Semiconductor integrated circuit  (NC03162T)

Terms in the title (4)： 注入 ,  電荷貯蔵 ,  積層構造 ,  フラッシュメモリデバイス