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J-GLOBAL ID：200902139522395706   Reference number：01A0272593

Analysis of phase-separation region in wurtzite group III nitride quaternary material system using modified valence force field model.

改良原子価力場モデルを用いるウルツ鉱型III族窒化物四成分物質系における相分離領域の解析

Author (5)： TAKAYAMA T (Stanford Univ., CA, USA) ,  YURI M (Matsushita Electronics Corp., Osaka, JPN) ,  ITOH K (Matsushita Electronics Corp., Osaka, JPN) ,  BABA T (Matsushita Electronics Corp., Osaka, JPN) ,  HARRIS J S JR (Stanford Univ., CA, USA)
Material： Journal of Crystal Growth  (J Cryst Growth)
Volume： 222  Issue： 1/2  Page： 29-37  Publication year： Jan. 2001 
JST Material Number： B0942A  ISSN： 0022-0248  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： compound semiconductor ,...

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JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Chemical thermodynamics of other substances(mixtures)  (CB02034Q)

Terms in the title (7)： モデル ,  ウルツ鉱 ,  III族 ,  窒化物 ,  物質 ,  相分離 ,  解析