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J-GLOBAL ID：200902139605365418   Reference number：01A0016175

Measurement of thermal conductivity for thin film by using Photoacoustic method. Application to characterization of ion-implanted Si wafer.

光音響法による薄膜の熱伝導率の測定 イオン注入されたSiの特性評価への応用

Author (4)： TAKABATAKE NOBUYA (神奈川工科大) ,  KOBAYASHI TAKESHI (神奈川工科大) ,  SHO YOSHIYUKI (東海大 工) ,  IZUMI TOMIO (東海大 工)
Material： Thermophysical Properties  (Proceedings of Japan Symposium on Thermophysical Properties)
Volume： 21st  Page： 160-162  Publication year： Oct. 18, 2000 
JST Material Number： X0031A  ISSN： 0911-1743  Document type： Proceedings
Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Terms in the title (7)： 光音響法 ,  薄膜 ,  熱伝導率 ,  イオン注入 ,  Si ,  特性評価 ,  応用