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J-GLOBAL ID：200902139826857811   Reference number：94A0827529

Low resistivity cubic phase CdS films by chemical bath deposition technique.

化学浴堆積法による低抵抗率の立方晶相CdS膜

Author (6)： DE MELO O (CINVESTAV-IPN, Mexico, MEX) ,  HERNANDEZ L (CINVESTAV-IPN, Mexico, MEX) ,  ZELAYA-ANGEL O (CINVESTAV-IPN, Mexico, MEX) ,  LOZADA-MORALES R (CINVESTAV-IPN, Mexico, MEX) ,  BECERRIL M (CINVESTAV-IPN, Mexico, MEX) ,  VASCO E (Univ. Havana, Ciudad Habana, CUB)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 65  Issue： 10  Page： 1278-1280  Publication year： Sep. 05, 1994 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： cadmium sulfide ,...
Semi thesaurus term： CBD法

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JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Electric conduction in crystalline semiconductors  (BM03043X)

Terms in the title (4)： 化学浴堆積 ,  低抵抗 ,  立方晶 ,  CdS