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J-GLOBAL ID：200902141869273311   Reference number：00A0721452

Modeling of SILC Based on Electron and Hole Tunneling-Part I: Transient Effects.

SILC(ストレス誘起リーク電流)に基づいた電子および正孔トンネリングのモデル 第1部:過渡的効果

Author (4)： IELMINI D (Politecnico di Milano, Milan, ITA) ,  SPINELLI A S (Univ. Insubria, Como, ITA) ,  RIGAMONTI M A (Politecnico di Milano, Milan, ITA) ,  LACAITA A L (Politecnico di Milano, Milan, ITA)
Material： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Trans Electron Devices)
Volume： 47  Issue： 6  Page： 1258-1265  Publication year： Jun. 2000 
JST Material Number： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *dielectric thin film ,...

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JST classification (2)： Oxide thin films  (BK14050P) ,  Semiconductor integrated circuit  (NC03162T)

Terms in the title (7)： SILC ,  ストレス誘起リーク電流 ,  電子 ,  正孔 ,  トンネリング ,  モデル ,  1部