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J-GLOBAL ID：200902142237186940   Reference number：96A0855807

Low-temperature study of current and electroluminescence in InGaN/AlGaN/GaN double-heterostructure blue light-emitting diodes.

InGaN/AlGaN/GaN二重ヘテロ構造青色発光ダイオードにおける電流とエレクトロルミネセンスの低温研究

Author (7)： PERLIN P (Univ. New Mexico, New Mexico) ,  OSINSKI M (Univ. New Mexico, New Mexico) ,  ELISEEV P G (Univ. New Mexico, New Mexico) ,  SMAGLEY V A (Univ. New Mexico, New Mexico) ,  MU J (Univ. New Mexico, New Mexico) ,  BANAS M (Univ. New Mexico, New Mexico) ,  SARTORI P (Univ. New Mexico, New Mexico)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 69  Issue： 12  Page： 1680-1682  Publication year： Sep. 16, 1996 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： light emitting diode ,...

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JST classification (2)： Light emitting devices  (NC03082G) ,  Luminescence of semiconductors  (BM08092S)

Terms in the title (8)： InGaN ,  AlGaN ,  GaN ,  ヘテロ構造 ,  青色発光ダイオード ,  エレクトロルミネセンス ,  低温 ,  研究