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J-GLOBAL ID：200902142539574257   Reference number：98A0562321

Study of Avalanche Breakdown and Impact Ionization in 4H Silicon Carbide.

4H-SiCにおけるアバランシェ降伏と衝突イオン化の研究

Author (4)： KONSTANTINOV A O (ABB Corporate Res., Kista, SWE) ,  WAHAB Q (ABB Corporate Res., Linkoeping, SWE) ,  NORDELL N (Industrial Microelectronics Center, Kista, SWE) ,  LINDEFELT U (ABB Corporate Res., Vaesteras, SWE)
Material： Journal of Electronic Materials  (J Electron Mater)
Volume： 27  Issue： 4  Page： 335-341  Publication year： Apr. 1998 
JST Material Number： D0277B  ISSN： 0361-5235  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *silicon carbide ,...
Semi thesaurus term： VPE growth ,...

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JST classification (2)： Semiconductor-semiconductor contacts without Gr.13-15 element compounds  (BM03083P) ,  Diodes  (NC03050R)

Terms in the title (4)： 4H-SiC ,  アバランシェ降伏 ,  衝突イオン化 ,  研究