Art

J-GLOBAL ID：200902143692455069   Reference number：94A0139925

Carrier-Induced Energy Shift in GaAs/AlGaAs Multiple Quantum Well Laser Diodes.

GaAs/AlGaAs多重量子井戸レーザダイオードのキャリア誘導エネルギーシフト

Author (3)： CHEN P A (National Chiao-Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  JUANG C (ITRI, Hsinchu, TWN) ,  CHANG C Y (National Chiao-Tung Univ., Hsinchu, TWN)
Material： IEEE Journal of Quantum Electronics  (IEEE J Quantum Electron)
Volume： 29  Issue： 10  Page： 2607-2618  Publication year： Oct. 1993 
JST Material Number： H0432A  ISSN： 0018-9197  CODEN： IEJQA7  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： quantum well laser ,...
Semi thesaurus term： forbidden band

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=94A0139925&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0432A") }}

JST classification (1)： Semiconductor lasers  (BD04070L)

Terms in the title (7)： GaAs ,  AlGaAs ,  多重量子井戸レーザ ,  ダイオード ,  キャリア ,  誘導 ,  エネルギーシフト