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J-GLOBAL ID：200902143972576503   Reference number：00A0932952

Effect of oxidation and reoxidation on the oxide-substrate interface of 4H- and 6H-SiC.

4H-と6H-SiCの酸化物-基板界面に対する酸化と再酸化の効果

Author (3)： JERNIGAN G G (Naval Res. Lab., Washington DC) ,  STAHLBUSH R E (Naval Res. Lab., Washington DC) ,  SAKS N S (Naval Res. Lab., Washington DC)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 77  Issue： 10  Page： 1437-1439  Publication year： Sep. 04, 2000 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *silicon carbide ,...

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JST classification (2)： Oxide thin films  (BK14050P) ,  Other noncatalytic reactions  (CB06070U)

Terms in the title (5)： 6H-SiC ,  酸化物 ,  界面 ,  酸化 ,  再酸化