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J-GLOBAL ID：200902144001712180   Reference number：01A1048364

Metalorganic vapor phase epitaxy growth of crack-free AlN on GaN and its application to high-mobility AlN/GaN superlattices.

亀裂がないAlNとGaNの有機金属気相エピタクシー成長と高移動度AlN/GaN超格子への応用

Author (7)： YAMAGUCHI S (Meijo Univ., Nagoya, JPN) ,  KOSAKI M (Meijo Univ., Nagoya, JPN) ,  WATANABE Y (Meijo Univ., Nagoya, JPN) ,  YUKAWA Y (Meijo Univ., Nagoya, JPN) ,  NITTA S (Meijo Univ., Nagoya, JPN) ,  AMANO H (Meijo Univ., Nagoya, JPN) ,  AKASAKI I (Meijo Univ., Nagoya, JPN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 79  Issue： 19  Page： 3062-3064  Publication year： Nov. 05, 2001 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： crack ,...

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JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Semiconductor-semiconductor contacts with Gr.13-15 element compounds  (BM03082Y)

Terms in the title (8)： 亀裂 ,  AlN ,  GaN ,  有機金属気相エピタクシー ,  成長 ,  高移動度 ,  超格子 ,  応用