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J-GLOBAL ID：200902144106233776   Reference number：99A0382886

Growth and characterization of small band gap (~0.6eV) InGaAsN layers on InP.

InP上への狭いバンドギャップ(~0.6eV)のInGaAsN層の成長と特性評価

Author (4)： GOKHALE M R (Princeton Univ., New Jersey) ,  WEI J (Princeton Univ., New Jersey) ,  WANG H (Princeton Univ., New Jersey) ,  FORREST S R (Princeton Univ., New Jersey)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 74  Issue： 9  Page： 1287-1289  Publication year： Mar. 01, 1999 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： nitride ,...
Semi thesaurus term： forbidden band

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JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Luminescence of semiconductors  (BM08092S)

Terms in the title (4)： InP ,  バンドギャップ ,  成長 ,  特性評価