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J-GLOBAL ID：200902144284813190   Reference number：95A0282143

Semi-insulating 6H-SiC grown by physical vapor transport.

物理気相輸送によって成長させた半絶縁性6H-SiC

Author (8)： HOBGOOD H M (Westinghouse Science & Technology Center, Pennsylvania) ,  GLASS R C (Westinghouse Science & Technology Center, Pennsylvania) ,  AUGUSTINE G (Westinghouse Science & Technology Center, Pennsylvania) ,  HIPKINS R H (Westinghouse Science & Technology Center, Pennsylvania) ,  JENNY J (Carnegie Mellon Univ., Pennsylvania) ,  SKOWRONSKI M (Carnegie Mellon Univ., Pennsylvania) ,  MITCHEL W C (Wright Lab., Ohio) ,  ROTH M (Wright Lab., Ohio)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 66  Issue： 11  Page： 1364-1366  Publication year： Mar. 13, 1995 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： doping ,...

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JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Electric conduction in crystalline semiconductors  (BM03043X)

Terms in the title (6)： 物理 ,  気相 ,  輸送 ,  成長 ,  半絶縁性 ,  6H-SiC