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J-GLOBAL ID：200902144399559034   Reference number：02A0501590

Indium Phosphide & Related Materials. Photoluminescence and Lasing Characteristics of GaInNAs Quantum Wells Using GaInAs Intermediate Layers.

GaInAs中間層を使ったGaInNAs量子井戸の光ルミネセンスとレーザ発振特性

Author (7)： KAWAGUCHI M (Tokyo Inst. Technol., Yokohoma, JPN) ,  MIYAMOTO T (Tokyo Inst. Technol., Yokohoma, JPN) ,  GOUARDES E (Tokyo Inst. Technol., Yokohoma, JPN) ,  MINOBE S (Tokyo Inst. Technol., Yokohoma, JPN) ,  KONDO T (Tokyo Inst. Technol., Yokohoma, JPN) ,  KOYAMA F (Tokyo Inst. Technol., Yokohoma, JPN) ,  IGA K (Tokyo Inst. Technol., Yokohoma, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Brief Communications & Review Papers)
Volume： 41  Issue： 2B  Page： 1034-1039  Publication year： Feb. 28, 2002 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： compound semiconductor ,...

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JST classification (2)： Semiconductor lasers  (BD04070L) ,  Luminescence of semiconductors  (BM08092S)

Reference (29)：

• 1) M. Weyers, M. Sato and H. Ando: Jpn. J. Appl. Phys. 31 (1992) L853.
• 2) M. Weyer and M. Sato: Appl. Phys. Lett. 62 (1993) 1396.
• 3) M. Kondow, K. Uomi, A. Niwa, T. Kitatani, S. Watahiki and Y. Yazawa: Jpn. J. Appl. Phys. 35 (1996) 1273.
• 4) S. Sakai and T. Abe: Jpn. J. Appl. Phys. 32 (1993) 4413.
• 5) K. Iga: Indium Phosphide and Related Materials, ThA1-1 (1996).

Terms in the title (7)： GaInAs ,  中間層 ,  GaInNAs ,  量子井戸 ,  光ルミネセンス ,  レーザ ,  発振特性