Art

J-GLOBAL ID：200902144496918464   Reference number：97A0327470

Preparation of GaN Single Crystals Using a Na Flux.

Naフラックスを使ったGaN単結晶の調製

Author (4)： YAMANE H (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  SHIMADA M (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  CLARKE S J (Cornell Univ., New York) ,  DISALVO F J (Cornell Univ., New York)
Material： Chemistry of Materials  (Chem Mater)
Volume： 9  Issue： 2  Page： 413-416  Publication year： Feb. 1997 
JST Material Number： T0893A  ISSN： 0897-4756  CODEN： CMATEX  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： gallium nitride ,...
Semi thesaurus term： SEM

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JST classification (3)： Salts  (CD01050V) ,  Crystal growth of semiconductors  (BK13040X) ,  Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (5)： Na ,  フラックス ,  GaN ,  単結晶 ,  調製