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J-GLOBAL ID：200902144694065620   Reference number：97A0572025

A Novel 0.15μm CMOS Technology using W/WNx/Polysilicon Gate Electrode and Ti Silicided Source/Drain Diffusions.

W/WN_x/ポリシリコンゲート電極およびTiケイ化ソース/ドレイン拡散を用いた新しい0.15μm CMOS技術

Author (9)： TAKAGI M T (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  MIYASHITA K (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  KOYAMA H (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  NAKAJIMA K (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  MIYANO K (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  AKASAKA Y (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  YOSHIMURA H (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  SUGURO K (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  ISHIUCHI H (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
Material： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (IEEE International Electron Devices Meeting)
Volume： 1996  Page： 455-458  Publication year： 1996 
JST Material Number： C0829B  ISSN： 0163-1918  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： Tungsten ,...

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JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (8)： ポリシリコン ,  ゲート電極 ,  Ti ,  ケイ化 ,  ソース ,  ドレイン ,  拡散 ,  CMOS技術