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J-GLOBAL ID：200902144738097819   Reference number：98A0423527

2,6kV 4H-SiC Lateral DMOSFET’s.

2.6KV 4H形SiCラテラルDMOSFET

Author (4)： SPITZ J (Purdue Univ., IN, USA) ,  MELLOCH M R (Purdue Univ., IN, USA) ,  COOPER J A JR (Purdue Univ., IN, USA) ,  CAPANO M A (Wright Lab., OH, USA)
Material： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Lett)
Volume： 19  Issue： 4  Page： 100-102  Publication year： Apr. 1998 
JST Material Number： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *MOSFET ,...
Semi thesaurus term： 4H-SiC ,...

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JST classification (2)： Transistors  (NC03070N) ,  Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (2)： SiC ,  DMOSFET