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J-GLOBAL ID：200902145489830159   Reference number：98A0482386

LSI Evaluation and Analysis Technology. Manufacturing Process Evaluation and Analysis Technology. Backside Current Path Observation and Defect Detection Using IR-OBIRCH Method.

LSIの評価・解析技術 製造プロセス評価解析技術 IR-OBIRCH法によるチップ裏面からの観測 I_ddq経路およびその物理的原因欠陥の非破壊検出

Author (2)： NIKAWA KIYOSHI (NEC デバイス分析評価技セ) ,  INOUE SHOJI (情報技術開発)
Material： NEC技報  (NEC Technical Journal)
Volume： 50  Issue： 6  Page： 68-73  Publication year： Jul. 1997 
JST Material Number： G0475B  ISSN： 0285-4139  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *LSI ,...
Semi thesaurus term： current path ,...

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JST classification (2)： Measurement,testing and reliability of solid-state devices  (NC03040G) ,  General  (NC03161C)

Terms in the title (11)： LSI ,  評価 ,  解析 ,  製造プロセス ,  Ir ,  観測 ,  経路 ,  物理 ,  原因 ,  欠陥 ,  非破壊検出