Art

J-GLOBAL ID：200902145575599745   Reference number：98A0793846

Epitaxial orientation and a growth model of (00 1)GaN thin film on (111) spinel substrate.

(111)スピネル基板上の(001)GaN薄膜のエピタキシャル方位と成長モデル

Author (5)： OHSATO H (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  KATO T (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  KOKETSU S (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  SAXENA R D (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  OKUDA T (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
Material： Journal of Crystal Growth  (J Cryst Growth)
Volume： 189/190  Page： 202-207  Publication year： Jun. 1998 
JST Material Number： B0942A  ISSN： 0022-0248  Document type： Article
Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Terms in the title (6)： スピネル ,  GaN ,  薄膜 ,  エピタキシャル ,  方位 ,  成長モデル