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J-GLOBAL ID：200902145720575426   Reference number：00A0638362

Transport of heavily boron-doped synthetic semiconductor diamond in the hopping regime.

ホッピング領域における高濃度ほう素ドープ合成半導体ダイヤモンドの輸送

Author (8)： SATO T (Tamagawa Univ., Tokyo, JPN) ,  OHASHI K (Tamagawa Univ., Tokyo, JPN) ,  SUGAI H (Japan Atomic Energy Res. Inst.(JAERI), Ibaraki, JPN) ,  SUMI T (Tamagawa Univ., Tokyo, JPN) ,  HARUNA K (Tamagawa Univ., Tokyo, JPN) ,  MAETA H (Hiroshima-Denki Inst. Technol., Hiroshima, JPN) ,  MATSUMOTO N (Japan Atomic Energy Res. Inst.(JAERI), Ibaraki, JPN) ,  OTSUKA H (Japan Atomic Energy Res. Inst.(JAERI), Ibaraki, JPN)
Material： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter)
Volume： 61  Issue： 19  Page： 12970-12976  Publication year： May. 15, 2000 
JST Material Number： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *diamond ,...

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JST classification (1)： Electric conduction in crystalline semiconductors  (BM03043X)

Terms in the title (6)： ホッピング ,  高濃度 ,  ほう素 ,  ドープ ,  ダイヤモンド ,  輸送