Art

J-GLOBAL ID：200902145734943584   Reference number：95A0498266

The Effect of GaN and AlN Buffer Layers on GaN Film Properties Grown on Both C-Plane and A-Plane Sapphire.

サファイアのC面とA面の双方に形成したGaN膜特性に及ぼすGaNとAlNバッファ層の効果

Author (4)： DOVERSPIKE K (Naval Res. Lab., Washington, D.C.) ,  ROWLAND L B (Naval Res. Lab., Washington, D.C.) ,  GASKILL D K (Naval Res. Lab., Washington, D.C.) ,  FREITAS J A JR (Sachs Freeman Assoc., MD)
Material： Journal of Electronic Materials  (J Electron Mater)
Volume： 24  Issue： 4  Page： 269-273  Publication year： Apr. 1995 
JST Material Number： D0277B  ISSN： 0361-5235  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： semiconductor thin film ,...

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=95A0498266&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=D0277B") }}

JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (5)： サファイア ,  GaN ,  膜特性 ,  AlN ,  バッファ層