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J-GLOBAL ID：200902146621194433   Reference number：01A1032430

Photoacoustic Study on Annealing Behavior of Thermal Conductivity in Si Ion-Implanted Silicon.

光音響法によるSiイオンを注入したシリコン基板の熱伝導率とアニール特性の研究

Author (4)： TAKABATAKE NOBUYA (神奈川工科大) ,  KOBAYASHI TAKESHI (神奈川工科大) ,  SHO YOSHIYUKI (東海大) ,  IZUMI TOMIO (東海大)
Material： 電子情報通信学会論文誌 C  (IEICE Transactions on Electronics (Japanese Edition))
Volume： J84-C  Issue： 11  Page： 1100-1105  Publication year： Nov. 01, 2001 
JST Material Number： S0623C  ISSN： 1345-2827  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *substrate(plate) ,...

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JST classification (1)： Measurement,testing and reliability of solid-state devices  (NC03040G)

Reference (16)：

• ZAMMIT, U. Photoacoustic optical and thermal characterization of Si and GaAs ion implanted layers. Appl. Phys. Lett. 1987, 50, 830-832
• 難破進. イオン注入技術. 1975
• 伊藤糾次. イオン・インプランテーション. 1976
• IZUMI, T. The effect of recoiled oxygen on the annealing properties of Si surface layer implanted with As through SiO_2 films. Nucl. Inst. and Meth. in Phys. Res. 1985, B7/8, 321-325
• PAO, Y. H. Optoacoustic Spectroscopy and Detection. 1977

Terms in the title (7)： 光音響法 ,  Siイオン ,  注入 ,  シリコン基板 ,  熱伝導率 ,  アニール ,  研究