Art

J-GLOBAL ID：200902147770964914   Reference number：01A0743197

Analyses of intrinsic magnetoelectric properties in spin-valve-type tunnel junctions with high magnetoresistance and low resistance.

高磁気抵抗と低抵抗を持つスピンバルブ型のトンネル接合における固有の磁気電気特性の分析

Author (6)： HAN X-F (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  YU A C C (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  OOGANE M (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  MURAI J (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  DAIBOU T (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  MIYAZAKI T (Tohoku Univ., Sendai, JPN)
Material： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter)
Volume： 63  Issue： 22  Page： 224404.1-224404.7  Publication year： Jun. 01, 2001 
JST Material Number： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： Tantalum ,...

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=01A0743197&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=D0746A") }}

JST classification (1)： Other contacts  (BM03088W)

Terms in the title (8)： 磁気抵抗 ,  低抵抗 ,  スピンバルブ ,  トンネル接合 ,  固有 ,  磁気 ,  電気特性 ,  分析