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J-GLOBAL ID：200902148070388145   Reference number：94A0540255

Electrical properties of thermal oxide grown on n-type 6H-silicon carbide.

n型6H炭化シリコン上に成長した熱酸化物の電気的特性

Author (3)： ALOK D (North Carolina State Univ., North Carolina) ,  MCLARTY P K (North Carolina State Univ., North Carolina) ,  BALIGA B J (North Carolina State Univ., North Carolina)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 64  Issue： 21  Page： 2845-2846  Publication year： May. 23, 1994 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： silicon carbide ,...

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JST classification (1)： Metal-insulator-semiconductor structures  (BM03085X)

Terms in the title (4)： 炭化シリコン ,  成長 ,  熱酸化 ,  電気的特性