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J-GLOBAL ID：200902148193175952   Reference number：97A0380028

Dynamic Threshold-Voltage MOSFET(DTMOS) for Ultra-Low Voltage VLSI.

超低電圧VLSI用ダイナミックしきい値電圧MOSFET(DTMOS)

Author (6)： ASSADERAGHI F (IBM Corp., NY, USA) ,  SINITSKY D (Univ. California, CA, USA) ,  PARKE S A (IBM Corp., NY, USA) ,  BOKOR J (Univ. California, CA, USA) ,  KO P K (Univ. California, CA, USA) ,  HU C (Univ. California, CA, USA)
Material： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Trans Electron Devices)
Volume： 44  Issue： 3  Page： 414-422  Publication year： Mar. 1997 
JST Material Number： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： MOSFET ,...

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JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (4)： 低電圧 ,  VLSI ,  しきい値電圧 ,  MOSFET