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J-GLOBAL ID：200902148423540078   Reference number：00A0516807

High Temperature Performance of NMOS Integrated Inverters and Ring Oscillators in 6H-SiC.

6H-SiCのNMOS集積インバータおよびリング発振器の高温特性

Author (3)： SCHMID U (DaimlerChrysler AG, Muenchen, DEU) ,  SHEPPARD S T (Cree Res. Inc., NC, USA) ,  WONDRAK W (DaimlerChrysler AG, Frankfurt, DEU)
Material： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Trans Electron Devices)
Volume： 47  Issue： 4  Page： 687-691  Publication year： Apr. 2000 
JST Material Number： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *MOS integrated circuit ,...

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JST classification (1)： Semiconductor integrated circuit  (NC03162T)

Terms in the title (6)： 6H-SiC ,  NMOS ,  集積 ,  インバータ ,  リング発振器 ,  高温特性