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J-GLOBAL ID：200902148431083425   Reference number：01A0245375

Quantized states in Ga_1-xIn_xN/GaN heterostructures and the model of polarized homogeneous quantum wells.

Ga_1-xIn_xN/GaNヘテロ構造における量子化状態と分極した均一量子井戸の模型

Author (4)： WETZEL C (Meijo Univ., Nagoya, JPN) ,  TAKEUCHI T (Meijo Univ., Nagoya, JPN) ,  AMANO H (Meijo Univ., Nagoya, JPN) ,  AKASAKI I (Meijo Univ., Nagoya, JPN)
Material： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter)
Volume： 62  Issue： 20  Page： R13302-R13305  Publication year： Nov. 15, 2000 
JST Material Number： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *gallium nitride ,...

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JST classification (2)： Electronic structure of crystalline semiconductors  (BM02060N) ,  Luminescence of semiconductors  (BM08092S)

Terms in the title (6)： GaN ,  ヘテロ構造 ,  量子化 ,  分極 ,  量子井戸 ,  模型