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J-GLOBAL ID：200902148695556160   Reference number：00A0861666

Depth Effect of the Morphology Change Induced by Hydrogen Annealing of Grown-in Defects in Silicon.

シリコン中の成長欠陥の水素アニーリングにより誘導された形態変化の深さ効果

Author (4)： FUJIMORI H (Toshiba Ceramics Co. Ltd., Kanagawa, JPN) ,  MATSUSHITA H (Toshiba Corp., Kanagawa, JPN) ,  OOSE I (Toshiba Corp., Kanagawa, JPN) ,  OKABE T (Toyama Univ., Toyama, JPN)
Material： Journal of the Electrochemical Society  (J Electrochem Soc)
Volume： 147  Issue： 9  Page： 3508-3510  Publication year： Sep. 2000 
JST Material Number： C0285A  ISSN： 1945-7111  CODEN： JESOAN  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *silicon ,...

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JST classification (1)： Lattice defects in semiconductors  (BK12040Q)

Terms in the title (6)： シリコン ,  成長 ,  欠陥 ,  水素 ,  アニーリング ,  誘導