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J-GLOBAL ID：200902148799521422   Reference number：94A0276729

Feasibility of 1.55μm Intersubband Photonic Devices Using InGaAs/AlAs Pseudomorphic Quantum Well Structures.

InGaAs/AlAs仮像量子井戸構造を用いた1.55μmサブバンド間光子素子の実現可能性

Author (5)： HIRAYAMA Y (Toshiba Corp., Kawasaki) ,  SMET J H (Massachusetts Inst. Technology, MA, USA) ,  PENG J-H (Harvard Univ., MA, USA) ,  FONSTAD C G (Massachusetts Inst. Technology, MA, USA) ,  IPPEN E P (Massachusetts Inst. Technology, MA, USA)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Brief Communications & Review Papers)
Volume： 33  Issue： 1B  Page： 890-895  Publication year： Jan. 1994 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： indium gallium arsenide ,...
Semi thesaurus term： intersubband transition ,...

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JST classification (2)： Semiconductor-semiconductor contacts with Gr.13-15 element compounds  (BM03082Y) ,  Other optical transmission devices  (BD06040S)

Terms in the title (7)： InGaAs ,  AlAs ,  仮像 ,  量子井戸 ,  サブバンド ,  光子 ,  実現可能性