Art

J-GLOBAL ID：200902149153411200   Reference number：98A0224645

Field-effect transistors comprising molecular beam deposited α,ω-di-hexyl-hexathienylene and polymeric insulator.

分子ビーム蒸着α,ω-ジ-ヘキシル-ヘキサチエニレン及び高分子絶縁体を用いた電界効果トランジスタ

Author (5)： DIMITRAKOPOULOS C D (IBM Res. Div., NY, USA) ,  FURMAN B K (IBM Res. Div., NY, USA) ,  GRAHAM T (IBM Res. Div., NY, USA) ,  HEGDE S (IBM Res. Div., NY, USA) ,  PURUSHOTHAMAN S (IBM Res. Div., NY, USA)
Material： Synthetic Metals  (Synth Met)
Volume： 92  Issue： 1  Page： 47-52  Publication year： Jan. 15, 1998 
JST Material Number： C0123B  ISSN： 0379-6779  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *FET ,...

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=98A0224645&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0123B") }}

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Substance index (1)： α,α'-Dihexylsexithiophene

Terms in the title (6)： 分子ビーム ,  蒸着 ,  ヘキシル ,  高分子 ,  絶縁体 ,  電界効果トランジスタ