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J-GLOBAL ID：200902149277338527   Reference number：02A0692227

Germanium MOS Capacitors Incorporating Ultrathin High-κ Gate Dielectric.

超薄高κゲート誘電体を組込んだゲルマニウムMOSキャパシタ

Author (5)： CHUI C O (Stanford Univ., CA, USA) ,  RAMANATHAN S (Stanford Univ., CA, USA) ,  TRIPLETT B B (Stanford Univ., CA, USA) ,  MCINTYRE P C (Stanford Univ., CA, USA) ,  SARASWAT K C (Stanford Univ., CA, USA)
Material： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Lett)
Volume： 23  Issue： 8  Page： 473-475  Publication year： Aug. 2002 
JST Material Number： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *condenser (capacitor) ,...
Semi thesaurus term： interface state

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JST classification (2)： LCR parts  (NA05030D) ,  Metal-insulator-semiconductor structures  (BM03085X)

Terms in the title (3)： 高κゲート誘電体 ,  ゲルマニウム ,  MOSキャパシタ