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J-GLOBAL ID：200902149323711823   Reference number：00A0287205

Lateral electric-field effects on excitonic photoemissions in InGaAs quantum disks.

InGaAs量子ディスクの励起子ルミネセンスにおける横電場効果

Author (4)： GOTOH H (NTT Basic Res. Lab., Kanagawa, JPN) ,  KAMADA H (NTT Basic Res. Lab., Kanagawa, JPN) ,  ANDO H (NTT Basic Res. Lab., Kanagawa, JPN) ,  TEMMYO J (NTT Basic Res. Lab., Kanagawa, JPN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 76  Issue： 7  Page： 867-869  Publication year： Feb. 14, 2000 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *indium gallium arsenide ,...
Semi thesaurus term： 量子ディスク ,...

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JST classification (2)： Excitons  (BM02120E) ,  Luminescence of semiconductors  (BM08092S)

Terms in the title (4)： InGaAs ,  量子ディスク ,  励起子ルミネセンス ,  電場効果