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J-GLOBAL ID：200902149770012070   Reference number：95A0789710

Low-temperature B doping of Si by synchrotron radiation irradiation of disilane/decaborane during gas-source molecular beam epitaxy.

気体原料の分子線ビームピタクシー中のジシラン/デカボランのシンクロトロン放射照射によるSiの低温Bドーピング

Author (1)： UTSUMI Y (NTT LSI Lab., Kanagawa, JPN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 67  Issue： 7  Page： 992-994  Publication year： Aug. 14, 1995 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： silicon ,...

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JST classification (2)： Lattice defects in semiconductors  (BK12040Q) ,  Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (8)： 気体原料 ,  分子線 ,  ジシラン ,  ボラン ,  シンクロトロン放射 ,  Si ,  低温 ,  ドーピング