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J-GLOBAL ID：200902149776950713   Reference number：97A0368406

Electrical characteristics of nearly relaxed InAs/GaP heterojunctions.

ほとんど緩和したInAs/GaPヘテロ接合の電気的特性評価

Author (4)： CHEN E H (Purdue Univ., Indiana) ,  CHIN T P (Purdue Univ., Indiana) ,  WOODALL J M (Purdue Univ., Indiana) ,  LUNDSTROM M S (Purdue Univ., Indiana)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 70  Issue： 12  Page： 1551-1553  Publication year： Mar. 24, 1997 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： indium arsenide ,...

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JST classification (1)： Semiconductor-semiconductor contacts with Gr.13-15 element compounds  (BM03082Y)

Terms in the title (6)： 緩和 ,  InAs ,  GAP ,  ヘテロ接合 ,  電気的特性 ,  評価