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J-GLOBAL ID：200902149833981787   Reference number：94A0723834

Characterization of highly Sb-doped Si using high-resolution x-ray diffraction and transmission electron microscopy.

高分解能X線回折と透過形電子顕微鏡によるSbを多量にドープしたSiの特性評価

Author (4)： RADAMSON H H (Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE) ,  SARDELA M R JR (Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE) ,  HULTMAN L (Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE) ,  HANSSON G V (Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE)
Material： Journal of Applied Physics  (Journal of General Physics and its Application to Other Sciences and to Industry)
Volume： 76  Issue： 2  Page： 763-767  Publication year： Jul. 15, 1994 
JST Material Number： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： X-Ray Diffraction ,...

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (6)： 高分解能X線回折 ,  透過形電子顕微鏡 ,  Sb ,  ドープ ,  Si ,  特性評価