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J-GLOBAL ID：200902150303551690   Reference number：97A0795465

Effect of inner-shell excitation of disilane on the reaction yield of synchrotron-radiation excited high-vacuum chemical vapor deposition.

シンクロトロン放射励起による高真空化学蒸着の反応収率に対するジシラン内殻励起の効果

Author (1)： UTSUMI Y (NTT System Electronics Lab., Kanagawa, JPN)
Material： Journal of Applied Physics  (Journal of General Physics and its Application to Other Sciences and to Industry)
Volume： 82  Issue： 3  Page： 1482-1484  Publication year： Aug. 01, 1997 
JST Material Number： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： silicon ,...

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (6)： シンクロトロン ,  高真空 ,  化学蒸着 ,  収率 ,  ジシラン ,  内殻励起