Art

J-GLOBAL ID：200902151054857624   Reference number：01A0506031

Tunnel Magnetoresistance Effect for Double Tunnel Junctions with Al Intermediate Layer.

中間層にAlを用いた二重トンネル接合の磁気抵抗効果

Author (6)： DAIBOU TADAOMI (東北大 大学院工学研究科) ,  OGANE MIKIHIKO (東北大 大学院工学研究科) ,  ANDO YASUO (東北大 大学院工学研究科) ,  KIM C (Hanyang Univ., Seoul, KOR) ,  SONG O (Univ. Seoul, Seoul, KOR) ,  MIYAZAKI TERUNOBU (東北大 大学院工学研究科)
Material： 日本応用磁気学会誌  (Journal of the Magnetics Society of Japan)
Volume： 25  Issue： 4-2  Page： 767-770  Publication year： Apr. 15, 2001 
JST Material Number： Z0944A  ISSN： 0285-0192  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *magnetoresistance effect ,...
Semi thesaurus term： double barrier wall

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JST classification (3)： Other contacts  (BM03088W) ,  Josephson junction and elements  (BM04043E) ,  Solic-state devices in general  (NC03010Z)

Reference (9)：

• 1) T. Miyazaki and N. Tezuka : J. Magn. Magn. Mater., 139, L231 (1995).
• 2) Y. Fukumoto, H. Kubota, Y. Ando and T. Miyazaki : Jpn. J. Appl. Phys. 2, Lett., 38, L932 (1999).
• 3) S. Takahashi and S. Maekawa : Phys. Rev. Lett., 80, 1758 (1998).
• 4) M. Johnson : Mater. Sci. Eng. B, Solid-State Mater. Adv. Technol, 31, 199 (1995).
• 5) S. Takahashi, H. Imamura and S. Maekawa : to be published.

Terms in the title (4)： 中間層 ,  Al ,  トンネル接合 ,  磁気抵抗効果