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J-GLOBAL ID：200902151222350492   Reference number：98A0798957

Initial stage of Schottky barrier formation of ferromagnetic MnSb(0001) films on GaAs(111)B.

GaAs(111)B上の強磁性MnSb(0001)膜のSchottky障壁形成の初期段階

Author (7)： OSHIMA M (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  SHUZO M (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  ONO K (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  FUJIOKA H (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  WATANABE Y (NTT Lab., Kanagawa, JPN) ,  MIYANISHI S (JRCAT, Ibaraki, JPN) ,  AKINAGA H (JRCAT, Ibaraki, JPN)
Material： Applied Surface Science  (Appl Surf Sci)
Volume： 130/132  Page： 892-898  Publication year： Jun. 1998 
JST Material Number： B0707B  ISSN： 0169-4332  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *manganese compound ,...

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JST classification (2)： Semiconductor-metal contacts  (BM03084G) ,  Thin films of other inorganic compounds  (BK14060A)

Terms in the title (4)： GaAs ,  強磁性 ,  Schottky障壁 ,  初期段階