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J-GLOBAL ID：200902151500445238   Reference number：03A0082341

Crack tip dislocations in silicon characterized by high-voltage electron microscopy.

高電圧電子顕微鏡によって特性づけたけい素中の亀裂先端転位

Author (6)： HIGASHIDA K (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  NARITA N (Kyushu Inst. Technol., Kitakyushu, JPN) ,  TANAKA M (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  MORIKAWA T (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  MIURA Y (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  ONODERA R (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
Material： Philosophical Magazine. A. Physics of Condensed Matter: Structure, Defects and Mechanical Properties  (Philosophical Magazine. A. Physics of Condenesed Matter)
Volume： 82  Issue： 17/18  Page： 3263-3273  Publication year： Nov. 20, 2002 
JST Material Number： E0753B  ISSN： 0141-8610  CODEN： PMAADG  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： high voltage electron microscope ,...

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JST classification (2)： Lattice defects in semiconductors  (BK12040Q) ,  Mechanical properties of solids in general  (BL01021C)

Terms in the title (4)： 高電圧電子顕微鏡 ,  けい素 ,  亀裂先端 ,  転位