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J-GLOBAL ID：200902151576238592   Reference number：99A0155001

Development of Contact Etching Technology Using C₅F₈ Gas for Global Warming Prevention.

地球温暖化対策ガスC₅F₈を用いたコンタクトエッチング技術の開発

Author (3)： IMAI SHIN'ICHI (松下電子工業) ,  JIWARI NOBUHIRO (松下電子工業) ,  NIKO HIDEO (松下電子工業)
Material： 半導体・集積回路技術シンポジウム講演論文集  (Proceedings of the Symposium on Semiconductors and Integrated Circuits Technology)
Volume： 55th  Page： 56-61  Publication year： Dec. 1998 
JST Material Number： F0108B  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *plasma etching ,...
Semi thesaurus term： environmental impact ,...

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JST classification (1)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Reference (9)：

• Third Annual International ESH Conference, Montrey California, 1996. 1996
• Forth Annual International ESH Conference, Milano Ltaly, 1997. 1997
• KARECKI, Simon. SEMICON Southwest97. 1997, 1
• GOTO, Yasushi. Proceedings of 19th DryProcess Symposium, 1997. 1997, 261
• GOTTSHO, Richard A. J. Vac. Sci. Technol. B. 1992, 10, 5

Terms in the title (4)： 地球温暖化対策 ,  コンタクト ,  エッチング ,  開発