Art

J-GLOBAL ID：200902151586418084   Reference number：99A0432279

Fabrication of high-mobility Ge p-channel MOSFETs on Si substrates.

Si基板上への高移動度Ge p-チャネルMOSFETの試作

Author (5)： REINKING D (Univ. Hannover, Hannover, DEU) ,  KAMMLER M (Univ. Hannover, Hannover, DEU) ,  HOFFMANN N (Univ. Hannover, Hannover, DEU) ,  HORN-VON HOEGEN M (Univ. Hannover, Hannover, DEU) ,  HOFMANN K R (Univ. Hannover, Hannover, DEU)
Material： Electronics Letters  (Electron Lett)
Volume： 35  Issue： 6  Page： 503-504  Publication year： Mar. 18, 1999 
JST Material Number： A0887A  ISSN： 0013-5194  CODEN： ELLEAK  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *MOSFET ,...
Semi thesaurus term： SME【エピタクシー】 ,...

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JST classification (2)： Transistors  (NC03070N) ,  Electric conduction in crystalline semiconductors  (BM03043X)

Terms in the title (6)： Si基板 ,  高移動度 ,  Ge ,  チャネル ,  MOSFET ,  試作