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J-GLOBAL ID：200902152042973838   Reference number：99A0419982

0.1μm Level Contact Hole Pattern Formation with KrF Lithography by Resolution Enhancement Lithograhy Assisted by Chemical Shrink(RELACS).

化学的収縮技術に支援された解像度向上リソグラフー法(RELACS)によるKrFリソグラフィーを使った0.1μmレベルのコンタクトホールパターン形成

Author (9)： TOYOSHIMA T (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  ISHIBASHI T (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  MINANIDE A (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  SUGINO K (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  KATAYAMA K (Ryoden Semiconductor System Engineering Corp., Hyogo, JPN) ,  SHOYA T (Ryoden Semiconductor System Engineering Corp., Hyogo, JPN) ,  ARIMOTO I (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  YASUDA N (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  MATSUI Y (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
Material： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (IEEE International Electron Devices Meeting)
Volume： 1998  Page： 333-336  Publication year： 1998 
JST Material Number： C0829B  ISSN： 0163-1918  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *submicron process ,...
Semi thesaurus term： crosslinking polymerization ,...

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JST classification (1)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (7)： 化学 ,  収縮 ,  支援 ,  解像度 ,  リソグラフィー ,  コンタクトホール ,  パターン形成