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J-GLOBAL ID：200902152141013412   Reference number：98A0369502

A High-Efficiency CMOS Voltage Doubler.

高効率CMOS電圧逓倍器

Author (3)： FAVRAT P (Swiss Federal Inst. Technol., Lausanne, CHE) ,  DEVAL P (MEAD Microelectronics Engineering Applications and Design SA, St.-Sulpice, CHE) ,  DECLERCQ M J (Swiss Federal Inst. Technol., Lausanne, CHE)
Material： IEEE Journal of Solid-State Circuits  (IEEE J Solid-State Circuits)
Volume： 33  Issue： 3  Page： 410-416  Publication year： Mar. 1998 
JST Material Number： B0761A  ISSN： 0018-9200  CODEN： IJSCBC  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： stray capacity ,...
Semi thesaurus term： 電圧逓倍器

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JST classification (2)： Power source circuit  (NC05060Q) ,  Metal-insulator-semiconductor structures  (BM03085X)

Terms in the title (3)： 高効率 ,  CMOS ,  逓倍器