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J-GLOBAL ID：200902152433365395   Reference number：02A0610108

Decomposition of trisdimethylaminoarsenic and As nucleation on GaAs(001)-2×4 at low temperature.

低温におけるGaAs(001)-2×4上のトリジメチルアミノひ素の分解とAsの核形成

Author (8)： KURAMOCHI H (Joint Res. Center for Atomic Technol. (JRCAT), Tsukuba, JPN) ,  CUI J (Joint Res. Center for Atomic Technol. (JRCAT), Tsukuba, JPN) ,  OZEKI M (Joint Res. Center for Atomic Technol. (JRCAT), Tsukuba, JPN) ,  UCHIDA H (Toyohashi Univ. Technol., Toyohashi, JPN) ,  AKINAGA H (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Tsukuba, JPN) ,  YOSHIDA H (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  SANADA N (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  FUKUDA Y (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 81  Issue： 1  Page： 132-134  Publication year： Jul. 01, 2002 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *gallium arsenide ,...

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JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Study of adsorption by physical means  (CB12043P)

Substance index (1)： Tris(dimethylamino)arsine

Terms in the title (5)： 低温 ,  GaAs ,  ひ素 ,  分解 ,  核形成