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J-GLOBAL ID：200902152628030169   Reference number：99A0420133

Low Voltage, Low Current, High Speed Program Step Split Gate Cell with Ballistic Direct Injection for EEPROM/Flash.

EEPROM/フラッシュ用バリスティック直接注入法による低電圧,低電流,高速プログラムのステップスピリットゲートセル

Author (9)： OGURA S (Halo LSI Inc., NY, USA) ,  HORI A (Matsushita Electronics Corp.) ,  KATO J (Matsushita Electronics Corp.) ,  YAMANAKA M (Matsushita Electronics Corp.) ,  ODANAKA S (Matsushita Electronics Corp.) ,  AKAMATSU K (Matsushita Electronics Corp.) ,  OGURA T (Halo LSI Inc., NY, USA) ,  KOJIMA M (Matsushita Electric Industrial Co. Ltd.) ,  KOTANI H (Matsushita Electric Industrial Co. Ltd.)
Material： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (IEEE International Electron Devices Meeting)
Volume： 1998  Page： 987-990  Publication year： 1998 
JST Material Number： C0829B  ISSN： 0163-1918  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *EEPROM ,...
Semi thesaurus term： バリスティック直接注入 ,...

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JST classification (2)： Semiconductor integrated circuit  (NC03162T) ,  Electric conduction in semiconductors and insulators in general  (BM03041P)

Terms in the title (6)： EEPROM ,  フラッシュ ,  バリ ,  スティック ,  注入 ,  低電圧