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J-GLOBAL ID：200902152778582976   Reference number：00A0371916

Formation of Thermal Decomposition Cavities in Physical Vapor Transport of Silicon Carbide.

炭化けい素の物理的蒸気輸送における熱分解キャビティの形成

Author (6)： SANCHEZ E K (Carnegie Mellon Univ., PA) ,  KUHR T (Carnegie Mellon Univ., PA) ,  HEYDEMANN V D (II-VI Inc., PA) ,  SNYDER D W (II-VI Inc., PA) ,  ROHRER G S (Carnegie Mellon Univ., PA) ,  SKOWRONSKI M (Carnegie Mellon Univ., PA)
Material： Journal of Electronic Materials  (J Electron Mater)
Volume： 29  Issue： 3  Page： 347-352  Publication year： Mar. 2000 
JST Material Number： D0277B  ISSN： 0361-5235  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *silicon carbide ,...

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JST classification (1)： Materials of solid-state devices  (NC03020K)

Terms in the title (6)： 炭化けい素 ,  物理 ,  蒸気 ,  輸送 ,  熱分解 ,  キャビティ