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J-GLOBAL ID：200902153085617250   Reference number：97A0297002

Development of a new technique for high-energy secondary-electron measurements in plasma immersion ion implantation.

プラズマ浸漬イオン注入における高エネルギー二次電子測定のための新しい方法の開発

Author (5)： NAKAMURA K (Res. Center Rossendorf Inc., Dresden, DEU) ,  MAENDL S (Res. Center Rossendorf Inc., Dresden, DEU) ,  BRUTSCHER J (Res. Center Rossendorf Inc., Dresden, DEU) ,  GUENZEL R (Res. Center Rossendorf Inc., Dresden, DEU) ,  MOELLER W (Res. Center Rossendorf Inc., Dresden, DEU)
Material： Plasma Sources Science and Technology  (Plasma Sources Sci Technol)
Volume： 6  Issue： 1  Page： 86-90  Publication year： Feb. 1997 
JST Material Number： W0479A  ISSN： 0963-0252  CODEN： PSTEEU  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： ion implantation ,...
Semi thesaurus term： plasma treatment ,...

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JST classification (1)： Irradiational changes in properties and structures in general  (BK16121W)

Terms in the title (4)： プラズマ浸漬イオン注入 ,  高エネルギー ,  二次電子 ,  開発