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J-GLOBAL ID：200902153234595477   Reference number：98A0793843

Direct growth of GaN on (0001) 6H-SiC by low-pressure MOVPE with a flow channel.

流路を持つ低圧MOVPE法による(0001)6H-SiC上へのGaNの直接成長

Author (6)： KURIMOTO M (Kohgakuin Univ., Tokyo, JPN) ,  SHIBATA M (Kohgakuin Univ., Tokyo, JPN) ,  YAMAMOTO J (Kohgakuin Univ., Tokyo, JPN) ,  TSUBAMOTO M (Kohgakuin Univ., Tokyo, JPN) ,  HONDA T (Kohgakuin Univ., Tokyo, JPN) ,  KAWANISHI H (Kohgakuin Univ., Tokyo, JPN)
Material： Journal of Crystal Growth  (J Cryst Growth)
Volume： 189/190  Page： 189-192  Publication year： Jun. 1998 
JST Material Number： B0942A  ISSN： 0022-0248  Document type： Article
Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Terms in the title (6)： 流路 ,  低圧 ,  MOVPE ,  6H-SiC ,  GaN ,  成長